半导体材料可细分为衬底、靶材、化学机械抛光材料、光刻胶、电子湿化学品、电子特种气体、封装材料等。其中，衬底是半导体材料领域的关键材料之一。砷化镓（GaAs）作为第二代半导体衬底材料的代表，是全球用途最广泛、生产量最大的化合物半导体材料，也是继硅（Si）材料之后最重要的微电子材料之一。由于砷化镓具有本征载流子浓度低、光电特性好、电子迁移率高（是硅的5-6倍）、禁带宽度大（1.43eV，硅为1.1eV）且为直接带隙，容易制成射频器件和光电子器件，用砷化镓制成的射频器件具有高频、性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，能够满足多种场景需求。

      我公司根据客户需求，生产2英寸至6英寸砷化镓晶片。分为LED晶片、激光LD晶片、微波晶片。晶片可加工为单面或双面抛光，激光刻字，单片或卡塞包装，开盒即用。

      当前，砷化镓广泛应用于智能手机、光纤通信、卫星通讯、LED显示与太阳能电池等领域。砷化镓衬底分为半绝缘型和半导体型，其中半绝缘型砷化镓主要用于制作射频器件，与射频器件相关的芯片多数由镓砷基衬底制造而来，射频芯片是无线通信的核心部件，是天线和基带之间的组件，包括功率、放大器、射频开关、射频滤波器、低噪音放大器等。半导体型砷化镓主要用于制作光电子器件，包括LED、激光器等。随着5G通信、新一代显示(MiniLED、MicroLED)、可穿戴设备等新兴市场的驱动，砷化镓的市场规模正持续扩大。VCSEL芯片先是在2015年被引入苹果手机内，后是逐渐应用到汽车领域，用于监控驾驶员状态、疲劳驾驶等，预计2027年全球市场规模可达40亿美元。